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关于变量存储器V 与 位存储器M 区别?

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我研究了半天,也没有发觉变量存储器V与位存储器M最大的区别(除了M0.0–M0.7可应用于TD200上而V却不可以外)?烦劳指教多谢!…

我研究了半天,也没有发觉变量存储器V与位存储器M最大的区别(除了M0.0–M0.7可应用于TD200上而V却不可以外)?烦劳指教多谢!

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电容保持。这个概念我在96年就有了,现在变了吗?不会的,我想还是您错了。万泉河:确认一下。不针对任何人,我想对于一些基本的概念,大家应该有一个一致的、明确的结论。

分。中文手册的5-10到5-14页,是不是这个意思?用编程的方法,保存的是永久区以外的数据,一次只能一个dword.

变量时,可以达到较高的编码效率。所以M区有中间继电器的说法。至于TD200使用M区来记录KEY,m是哪个存储器标识也是因为它适合做位变量。还有不同意见吗?

请问s7-88和shine,那么300中的保持区是不是也有时间限啊?像314,还没有eeprom呢,它是怎样保持的?

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